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SK 海力士将于 8 月 8 日至 10 日在美国圣克拉拉举行的 2023 年闪存峰会 (FMS) 上展示首款 321 层 1 Tb TLC 4D NAND 闪存芯片。这种先进类型的内存仍在开发中，但南韩国公司预计量产将于2025年上半年开始。
即将推出的第五代 4D NAND 321 层 1 Tb 芯片带来了一系列优势，包括随着SK 海力士不断完善单元堆叠工艺，单芯片容量比当前238 层 512 Gb 芯片增加 59%。为了充分利用先进的321层1 Tb芯片的优势，SK海力士已经在开发下一代PCIe 6.0和UFS 5.0解决方案，该解决方案将主要针对生成式AI市场。
随着 238 层 512 Gb 芯片现已满负荷生产，SK 海力士还推出了针对 AI 工作负载优化的新型PCIe 5.0和UFS 4.0 高性能和高容量企业解决方案。
通过每两年发布新一代 NAND 存储芯片，SK 海力士希望巩固其在 NAND 领域的技术领先地位，并承诺追求创新，以满足人工智能时代不断增长的要求。
